نبذة عن الجهاز
منضدة المعالجة الكيميائية الرطبة للألياف والمواد الكاشطة بالأحماض والقواعد (Fibre Abrasive Acid/Base Wet Chemical Bench) هي نظام معالجة آلي متكامل يُستخدم لإجراء عمليات التنظيف الرطب والحفر الكيميائي (Wet Cleaning & Etching) في صناعة أشباه الموصلات وغيرها من الصناعات التقنية المتقدمة. تضم المنضدة عادةً عدة أحواض أو وحدات معالجة تحتوي على محاليل حمضية، ومحاليل قاعدية، بالإضافة إلى حوض للشطف بالمياه منزوعة الأيونات (DI Water)، بما يضمن تنفيذ العمليات الكيميائية بكفاءة وأمان.
المواصفات الفنية
هيكل الجهاز ومواد التصنيع (MOC): مصنوع من البولي بروبيلين الطبيعي أو الأبيض المقاوم للاشتعال بسماكة تتراوح بين 10 و12 مم، ومناسب للتعامل مع الأحماض القوية مثل حمض الهيدروفلوريك (HF) وحمض الكبريتيك (H₂SO₄)، وكذلك القواعد القوية مثل هيدروكسيد البوتاسيوم (KOH) ورباعي ميثيل هيدروكسيد الأمونيوم (TMAH).
حواجز الحماية: حواجز شفافة منزلقة (من الأكريليك أو PVC) مزودة بنظام موازنة بالأثقال، لتوفير حماية للمشغل والمحافظة على انسيابية تدفق الهواء.
نوع غطاء الشفط: غطاء بتدفق هواء رأسي منتظم (Vertical Laminar Flow - VLF).
نظام الترشيح: مزود بوحدة مروحة وفلتر (FFU) بقدرة لا تقل عن 650 قدمًا مكعبًا في الدقيقة (CFM) لكل وحدة، مع فلاتر HEPA بكفاءة ترشيح تصل إلى 99.99%.
نظام سحب الأبخرة: نظام شفط خلفي أو محيطي بزاوية 360° لإزالة الغازات والأبخرة الكيميائية الضارة بكفاءة عالية.
التطبيقات
معالجة الألياف: إزالة الطلاءات الكيميائية عن الألياف البصرية، وإجراء المعالجة السطحية للألياف الزجاجية والاصطناعية، وإزالة البوليمرات والطلاءات المختلفة.
معالجة المواد الكاشطة: التعامل مع المعلقات الحمضية المستخدمة في عمليات الصقل الكيميائي الميكانيكي (CMP)، وإزالة الجزيئات والشوائب بعد عمليات تقطيع الرقائق، وشطف رقائق أشباه الموصلات المعالجة بالمواد الكاشطة بأمان.
تطبيقات الأحماض: حفر السيليكون والأغشية الرقيقة، وإزالة طبقات الأكاسيد، وإجراء عمليات التنظيف وفق بروتوكولات RCA (SC2) والتنظيف بمحلول Piranha (SPM)، باستخدام أحماض مثل حمض الهيدروفلوريك (HF)، وحمض النيتريك (HNO₃)، وحمض الكبريتيك (H₂SO₄).
تطبيقات القواعد: إجراء الحفر الاتجاهي باستخدام KOH أو TMAH، وتنفيذ عمليات التنظيف RCA (SC1)، بالإضافة إلى إزالة طبقات المقاوم الضوئي (Photoresist Stripping).