نبذة عن الجهاز

يُعد OAI Model 200IR جهازًا مكتبيًا متعدد الاستخدامات للمحاذاة الضوئية والتعريض بالأشعة فوق البنفسجية، صُمم لتنفيذ عمليات الطباعة الضوئية (Photolithography) عالية الدقة في مختبرات البحث والتطوير وخطوط الإنتاج التجريبية. ويستخدم على نطاق واسع في تصنيع أشباه الموصلات، والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS)، والأنظمة الميكروفلويدية (Microfluidics)، حيث يدعم محاذاة الأقنعة الضوئية مع الركائز من الجهة الأمامية، بالإضافة إلى المحاذاة الخلفية باستخدام الأشعة تحت الحمراء للرقائق الشفافة لها، مثل رقائق السيليكون.

المواصفات الفنية

• حجم الركائز المدعومة:

  • رقائق (Wafers) بقطر يصل إلى 6 بوصات.

  • أو ركائز بأبعاد تصل إلى 6 × 6 بوصات.

• مصادر التعريض الضوئي:

  • مصابيح بقدرات تتراوح بين 200 واط و2000 واط.

  • يدعم أطوالًا موجية مختلفة للأشعة فوق البنفسجية، بما في ذلك:

    • UV القريب (Near UV)

    • UV العميق (Deep UV)

    • UV فائق العمق (Extreme UV)

• دقة الطباعة:

  • قادر على تحقيق دقة أقل من ميكرومتر واحد.

  • يمكنه إنتاج خطوط بعرض 1 ميكرومتر، وتصل إلى 0.8 ميكرومتر في طبقات المقاومات الضوئية (Photoresist).

• دقة المحاذاة الأمامية (Frontside Alignment):

  • دقة تطابق ومحاذاة تتراوح بين 0.2 و1.0 ميكرومتر.

• دقة المحاذاة الخلفية (Backside Alignment):

  • يدعم المحاذاة عبر الأشعة تحت الحمراء للرقائق الشفافة لها، مثل رقائق السيليكون.

  • دقة المحاذاة تتراوح بين 3 و5 ميكرومتر.

التطبيقات

• تصنيع الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS).

• تصنيع أنظمة Microfluidics.

• تقنيات النانو والطباعة النانوية (Nanotechnology & Nanoimprint Lithography – NIL).

• تصنيع أشباه الموصلات المركبة (Compound Semiconductors).

• الإلكترونيات الضوئية والأغشية الرقيقة (Optoelectronics & Thin Films).

• تصنيع تقنيات الشاشات والعروض الإلكترونية (Displays).

​